In an approach of low transparency of the barrier the tunneling of electrons through doubly degenerate local state has been considered with allowance for the Coulomb and electron-phonon interactions. It is shown that in the case of weak electron-phonon and strong electron-electron interactions the dependence of tunneling current on the applied voltage has a step-like character at low temperature. The threshold value of the current was measured for small applied bias. The bistable state of the tunneling current is possible in the region of large bias. In the case of strong electron-phonon and weak electron-electron interactions, the threshold of tunneling current can be bistable. This result is a direct consequence of the electron pairing in local states.

The universal thermoregulating cryosystem ensuring a possibility to work practically with any kind of working cryoagent without a modification in construction of the cryostat is developed. For a want of application of liquid helium as the work cryoagent the system ensures regulation of temperature in a range 1,4 - 4,2 - 300 K with the stability not worse 0,1 K and the consumption of liquid helium not more 0,08 Ltr/hour. In a case of use of liquid nitrogen the system ensures a thermal control in a range 77; 80 - 300 K with the stability not worse 0,1 K and the consumption of liquid nitrogen not more 0,15 Ltr/hour.

Досліджено явища транспорту для сильно деформованих кристалів кремнію та германію, легованих дрібними донорами до концентрацій, що значно перевищують критичну концентрацію переходу метал-ізолятор. Розглянуто можливі механізми деформаційно-індукованого переходу метал-ізолятор, структури зони провідності кремнію та германію для відповідних напрямів осі деформації. На основі аналізу експериментальних даних дослідження особливостей деформаційно-індукованого переходу в сильно легованих монокристалах кремнію та германію підтверджено головні положення теорії ефективної маси для воднеподібних домішок.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.211 + В372.26 + Л719.4

Рубрики:

Консолідовані наноструктури <Тіла тверді >

Плівки

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано мікроскопічну модель пригнічування температурного розподілу електронів у резонансних тунельних структурах з нелінійністю, зумовленою електрон-фононною взаємодією за припущення наявності вироджених рівнів у квантовій ямі. Електрон-фононна взаємодія призводить до ефективного притягання зі зняттям виродження та зниженням енергетичного рівня. Відзначено, що у запропонованій моделі проявляється ефект Фано, пов'язаний з багатоканальним тунелюванням. Як приклад розглянуто ефект пригнічення теплового розкиду електронів в нанотранзисторі з металевою квантовою точкою. Виявлено досить значне (близько 200 К) нагрівання квантової точки, викликане проходженням струму через нанотранзистор. Незважаючи на нагрівання, ефект фільтрації холодних електронів чітко спостерігається. Теорія та експеримент добре узгоджуються.